Le circuit hybride BJT/MOSFET
associe les avantages des deux solutions
 Genève,
le 5 octobre 2005 – STMicroelectronics, l’un des
leaders de la technologie et du marché des transistors de puissance,
introduit une nouvelle famille de transistors bipolaires hybrides commutés
par l’émetteur (ESBT™), particulièrement adaptés
aux alimentations auxiliaires triphasées pour applications industrielles,
ainsi qu’aux convertisseurs symétriques à inductance
primaire (SEPIC) utilisés comme pré-régulateurs du
facteur de puissance dans les applications d’éclairage industriel.
En apportant la meilleure combinaison existante entre faible chute de
la tension directe, tension de blocage élevée et vitesse
de commutation rapide, la nouvelle série de transistors ESBT de
ST constitue une avancée pour les applications fonctionnant à
des fréquences de découpage et des tensions élevées.
La nouvelle famille d’ESBT de ST résoud le dilemme posé
aux concepteurs d’alimentation devant choisir entre des transistors
à jonction bipolaire (BJT), caractérisés par de
faibles pertes de conduction mais une vitesse de commutation réduite,
et des MOSFET, à vitesse de commutation élevée
mais pertes élevées. En réunissant dans le même
boîtier un transistor BJT et un MOSFET connectés dans une
configuration cascode, les nouveaux ESBT de ST conservent les avantages
des deux approches sans leurs inconvénients : les pertes de conduction
sont comparables à celles d’un seul transistor BJT et des
fréquences de découpage supérieures à 130
KHz peuvent être obtenues dans des conditions de commutation «
dures » (sans circuit d’aide à la commutation), que
les circuits peuvent supporter sans risque grâce à la zone
de fonction sécurisée en inverse carrée résultant
de la configuration cascode et de la technologie bipolaire dédiée.
Autre avantage important, ces nouveaux transistors offrent une tenue
en tension élevée pouvant atteindre 1,7 kV, qui permet
aux conceptions de fonctionner sous une tension flyback plus élevée
et donc un cyclique de tâches. L’alimentation est ainsi
en mesure de supporter des puissances supérieures ou de fonctionner
dans une plage de tensions d’entrée élargie.
La nouvelle famille d’ESBT comprend les transistors STC03DE170,
STC05DE150 et STC08DE150
dont les tensions de claquage respectives sont de 1,7, 1,5 et 1,5 kV
et les résistances à l’état passant de 0,55,
0,17 et 0,11 Ohms. A titre de comparaison, les MOSFET de puissance à
1500V offrent généralement une résistance à
l’état passant comprise entre 5 et 9 Ohms. Ces trois composants
se caractérisent par une tension Vcs(sat) de 0,9V, ce qui minimise
les pertes en conduction. L’absence de courant de queue réduit
également les pertes au blocage. Cette nouvelle famille ESBT
conjugue ainsi un fonctionnement plus fiable à moindre température
dans toutes les applications d’alimentation de 30 à 150
W.
Ces nouveaux transistors sont montés en boîtier TO-247
personnalisé à quatre contacts et broche collecteur latérale,
conçu pour augmenter l’espace entre les broches haute et
basse tension, ce qui permet d’optimiser la fiabilité du
système dans les environnements industriels les plus difficiles.
Les transistors STC03DE150, STC03DE170 et STC08DE150 sont disponibles
en volume aux prix respectifs de 3,10, 3,30 et 3,60 dollars (pour 100
pièces).
Son centre de compétence et ses laboratoires d’applications
permettent à ST de fournir des outils support complets pour la
nouvelle famille ESBT (notes d’applications et cartes de conception
de référence).
Informations complémentaires sur www.st.com/esbt
STMicroelectronics en bref
STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement
et la réalisation de solutions sur silicium destinées
à un grand nombre d'applications. Son expertise du silicium et
des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de
propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques
placent ST à l'avant-garde des technologies de systèmes
sur puce, et ses produits contribuent pleinement à la convergence
des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté
à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En
2004, ST a réalisé un chiffre d'affaires net de 8,76 milliards
de dollars et un résultat net de 601 millions. Des informations
complémentaires sont disponibles sur le site
www.st.com.
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Genève,
le 5 octobre 2005 – STMicroelectronics, l’un des
leaders de la technologie et du marché des transistors de puissance,
introduit une nouvelle famille de transistors bipolaires hybrides commutés
par l’émetteur (ESBT™), particulièrement adaptés
aux alimentations auxiliaires triphasées pour applications industrielles,
ainsi qu’aux convertisseurs symétriques à inductance
primaire (SEPIC) utilisés comme pré-régulateurs du
facteur de puissance dans les applications d’éclairage industriel.
En apportant la meilleure combinaison existante entre faible chute de
la tension directe, tension de blocage élevée et vitesse
de commutation rapide, la nouvelle série de transistors ESBT de
ST constitue une avancée pour les applications fonctionnant à
des fréquences de découpage et des tensions élevées.
