La ST ha completato il progetto di un System-on-Chip come dimostratore tecnologico ad altissima complessita` per la tecnologia da 65-nm

Ginevra, 16 Dicembre 2004 - La STMicroelectronics ha annunciato oggi di ver raggiunto un importante traguardo: la disponibilità di una piattaforma di progettazione per la tecnologia CMOS da 65-nm (0,065 micron). I progettisti e i clienti dell'azienda possono quindi iniziare lo sviluppo di prodotti System-on-Chip (SoC) della prossima generazione, per applicazioni wireless, di rete, di elettronica di consumo, ad alta velocità e bassa dissipazione. Inoltre la ST ha comunicato di aver completato la fase di generazione finale dei dati di progetto per l'inizio della fabbricazione di un circuito integrato system-on-chip dimostrativo, da 65 nm.

La piattaforma da 65-nm della ST è completa e prevede diverse opzioni di processo, che permettono di ottimizzare le singole celle in modo da ottenere alte prestazioni, o abbassare il consumo di energia, o per un utilizzo generico. Le dimensioni dei prodotti in tecnologia da 90-nm vengono ridotte della metà, ed è possibile aumentare la velocità fino al 30%, o diminuire del 50% l'assorbimento di corrente durante il funzionamento normale, con il conseguente calo del consumo di energia. La piattaforma comprende due librerie di celle standard: una ottimizza le prestazioni, l'altra la densità. Costituiscono un ricco portafoglio di oltre 1500 celle: differenti tipi di memoria, celle di I/O per tensioni diverse e blocchi circuitali analogici, parte del patrimonio di proprietà intellettuale (IP). La densità delle celle permette di superare le 800.000 gate per mm2, con un'alimentazione del nucleo centrale a 1,0V o 1,2V, distanze tra le metal di 0,20 micron e un numero di livelli di metallizzazione per le interconnessioni interne che varia da 6 a 10.

Didier Chapuis, Group Vice President per lo Sviluppo delle Piattaforme della STMicroelectronics, ha affermato: "Siamo stati i primi a rendere disponibile una piattaforma per i progetti da 65-nm. Questa è una prova della validità della nostra strategia di alleanze, in generale, e in particolare degli sforzi dell'Alleanza Crolles2. I nostri clienti potranno realizzare applicazioni con prestazioni eccezionali a costi accettabili, perché abbiamo saputo vincere la sfida della piattaforma per i progetti da 65-nm".

Sono in fase avanzata di sviluppo, e saranno disponibili in tempi rapidi, ulteriori ampliamenti alla piattaforma iniziale, come versioni SOI (Silicon-on-insulator, silicio su isolante) e la possibilità di integrare componenti passivi ad alte prestazioni.

La nuova piattaforma per progetti CMOS da 65-nm sfrutta a fondo le caratteristiche e la modularità della tecnologia di processo da 65-nm, sviluppata dall'Alleanza Crolles2 fra la STMicroelectronics, Freescale Semiconductor e Philips Semiconductors. Inoltre sono disponibili svariati servizi, offerti dall'Alleanza Crolles2, che facilitano l'accesso alla tecnologia: la realizzazione di prototipi in tempi rapidi, inferiori a una settimana, che è già stata ampiamente sperimentata con i circuiti integrati da 130-nm; la riduzione dei costi del set di maschere; il ricorso a una tecnologia e-beam per la personalizzazione dei componenti senza ricorrere a maschere speciali. Inoltre, per gli utenti della tecnologia da 65 nm, è stato attivato un servizio che prevede la possibilità di reticoli che ospitano più di un progetto.

La piattaforma da 65-nm è completamente supportata dai principali strumenti CAD di Cadence, Mentor Graphics e Synopsys, sviluppati in stretta collaborazione con i team di R&S dei partner EDA.

Informazioni tecniche aggiuntive

Alcune delle caratteristiche della libreria:

• Una serie completa di celle di I/O a 1,2 V, 1,8 V e 2,5V
• Memorie embedded ad altissima densità, tra cui memorie a SRAM singola porta che utilizzano una cella a 6 transistor, da 0,5 micron quadrati di area, memorie SRAM a doppia porta e memorie a sola lettura (ROM)
• Una variante di processo a basso costo, completamente compatibile, che permette di realizzare DRAM embedded fino a 64 Mbit con una cella di memoria di 0,12 micron quadrati
• Tecniche per la riduzione del consumo, fra cui: funzionamento adattativo e a bassa Vdd, possibilità di bloccare il consumo di energia (power shutdown), corrente di assorbimento ridotta in stand-by
• È in fase di sviluppo un ampio portafoglio di IP analogici e RF, per rispondere alle esigenze di superintegrazione di sistemi su un chip
• Un'ampia gamma di moduli di IP complessi, fra cui microcontrollori e processori di segnale digitale.

Alcune informazioni sulla STMicroelectronics
La STMicroelectronics è leader a livello globale dallo sviluppo alla consegna, nelle soluzioni a semiconduttore per tutta la gamma di applicazioni microelettroniche. Grazie ad un'ineguagliata combinazione di esperienza nel silicio e nei sistemi, grandi capacità manifatturiere, portafoglio di proprietà intellettuale e partner strategici, l'azienda è all'avanguardia nella tecnologia del System-on-Chip (sistema completo su singolo chip) e i suoi prodotti hanno un ruolo essenziale nel rendere possibile l'attuale convergenza di applicazioni e mercati. Le azioni della Società sono quotate al New York Stock Exchange, a Euronext Paris e alla Borsa Italiana. Nel 2003 i ricavi netti della Società sono stati pari a 7,24 miliardi di dollari e gli utili netti a 253 milioni di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com.