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La STMicroelectronics rivela sviluppi di avanguardia nelle memorie non volatili e nelle piattaforme CMOS durante l'IEDM | | |
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Ginevra, 9 dicembre 2004 - La STMicroelectronics, uno dei principali fornitori mondiali di dispositivi a semiconduttore, parteciperà alla conferenza internazionale IEDM 2004 (International Electron Devices Meeting), dal 13 al 15 Dicembre a San Francisco, California, con 15 relazioni di cui è autore o co-autore. Undici di questi lavori provengono da Crolles, in Francia, e riguardano lo sviluppo di tecnologie CMOS all'avanguardia. Altri quattro si riferiscono ai progressi nella tecnologia per le memorie non volatili, ottenuti dall'unità di Ricerca & Sviluppo Centrale della ST, ad Agrate, in Italia. Joel Monnier, Corporate Vice President e Direttore della R&S Centrale della STMicroelectronics, ha affermato: "La nostra partecipazione all'IEDM, con un numero record di lavori, non è solamente la dimostrazione del livello di eccellenza raggiunto dai nostri centri di Crolles e di Agrate, ma anche della produttività dei duraturi rapporti di collaborazione che abbiamo saputo stabilire nella ricerca avanzata. Nell'ambito del CMOS standard, l'Alleanza di Crolles2 e la collaborazione con istituti di ricerca di primissimo piano a livello mondiale, ci hanno permesso di diventare leader mondiali nello sviluppo e industrializzazione di tecnologie d'avanguardia" Dieci dei lavori che riguardano la tecnologia CMOS, si occupano di importanti argomenti connessi allo sviluppo delle piattaforme da 90nm, 65nm e 45nm. Inoltre, alcune di queste relazioni descrivono delle soluzioni per tecnologie inferiori ai 45nm:
La memoria a cambiamento di fase (PCM, Phase Change Memory) si è imposta come una delle principali opzioni tecnologiche per la prossima generazione di memorie non volatili. Le memorie PCM sono basate su materiali detti calcogenuri che possono assumere due diversi fasi stabili: una fase cristallina con bassa resistenza elettrica, e una fase amorfa con alta resistenza elettrica. La transizione tra le due fasi può essere sollecitata da un riscaldamento elettrico del materiale calcogenuro. Un terzo lavoro, presentato dalla Ricerca & Sviluppo Centrale della ST di Agrate, in collaborazione con i partner scientifici del Politecnico di Milano, analizza in modo completo le dinamiche di programmazione e la distribuzione di fase nei dispositivi PCM. La continua riduzione delle dimensioni fisiche dei MOSFET rende sempre più rilevanti gli effetti di interfaccia, nella determinazione dei profili dei droganti. La cosa è particolarmente importante in quelle strutture, come l'insieme delle celle di una memoria Flash, in cui la matrice attiva del dispositivo è costituita da aree rettangolari di silicio estremamente lunghe e sottili. Un quarto lavoro presentato dai ricercatori di Agrate descrive alcuni studi sperimentali e di simulazione che hanno permesso di sviluppare un modello per la segregazione del boro, che si è dimostrato uno strumento efficace per lo sviluppo delle future generazioni tecnologiche. Alcune informazioni sulla STMicroelectronics La STMicroelectronics è leader a livello globale dallo sviluppo alla consegna, nelle soluzioni a semiconduttore per tutta la gamma di applicazioni microelettroniche. Grazie ad un'ineguagliata combinazione di esperienza nel silicio e nei sistemi, grandi capacità manifatturiere, portafoglio di proprietà intellettuale e partner strategici, l'azienda è all'avanguardia nella tecnologia del System-on-Chip (sistema completo su singolo chip) e i suoi prodotti hanno un ruolo essenziale nel rendere possibile l'attuale convergenza di applicazioni e mercati. Le azioni della Società sono quotate al New York Stock Exchange, a Euronext Paris e alla Borsa Italiana. Nel 2003 i ricavi netti della Società sono stati pari a 7,24 miliardi di dollari e gli utili netti a 253 milioni di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com. |
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