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La STMicroelectronics sovverte le regole con dispositivi di potenza di dimensioni inferiori e più robusti

Le applicazioni nell'industria automobilistica saranno le prime ad avvantaggiarsi di questa tecnologia innovativa

VIPower (Click for Larger Image)Ginevra, 4 ottobre 2004 - La STMicroelectronics,
uno dei principali produttori mondiali di semiconduttori, ha rafforzato la propria leadership nelle tecnologie di potenza intelligenti con l'introduzione di una nuova generazione della famiglia di tecnologie proprietaria VIPowerTM (Vertical Intelligent Power). La nuova tecnologia, denominata M0-5, utilizza una strategia di controllo brevettata che consente all'azienda di ridurre in modo significativo le dimensioni del chip e del package pur offrendo la medesima potenza dei dispositivi attualmente disponibili, e aumentandone enormemente al tempo stesso la robustezza. La nuova tecnologia è particolarmente indicata in applicazioni automobilistiche, caratterizzate dalla richiesta di moduli di dimensioni inferiori, più leggeri e meno costosi. La tecnologia M0-5 consente di produrre dispositivi robusti in grado di operare in condizioni elettriche e fisiche estremamente gravose.

La nuova generazione di tecnologie di potenza intelligenti della ST per il settore automobilistico si basa su un'analisi accurata dei meccanismi fisici che possono condurre alla rottura dei dispositivi in condizioni operative anormali quali corto circuiti temporanei o permanenti e i rapidi transienti termici che si possono verificare all'accensione. La ST ha sviluppato delle strategie di controllo innovative che riducono l'effetto di queste sollecitazioni sugli elementi più vulnerabili dei circuiti tramite la limitazione attiva della potenza. Così facendo, pur riducendo di circa il 40% le dimensioni della piastrina di silicio (e quindi le dimensioni del package, con una conseguente riduzione del costo di sistema) necessarie per sostenere un dato livello di potenza, la robustezza dei dispositivi è stata enormemente aumentata.

Domenico Billè, Direttore Generale della Divisione VIPower & RF, ha affermato: "Questa è l'innovazione più significativa nella tecnologia dei semiconduttori per il settore automobilistico negli ultimi anni. Storicamente, la riduzione delle dimensioni fisiche dei transistor di potenza ha sempre reso questi più vulnerabili alle condizioni di stress che inevitabilmente si verificano nelle applicazioni automobilistiche reali. Ora invece, grazie all'adozione di innovativi circuiti di protezione attiva, i nostri nuovi dispositivi non sono solo più compatti ed economici ma anche molto più resistenti agli effetti delle condizioni operative anomale che si verificano in ambito automobilistico."

Come tutte le tecnologie VIPower della ST, la nuova tecnologia M0-5 è basata sul flusso di corrente verticale: la corrente ad elevata intensità (che tipicamente alimenta lampade, motori e solenoidi nell'automobile) fluisce verticalmente fra la parte superiore e la parte inferiore del chip di silicio attraverso configurazioni di transistor di potenza ad elevate prestazioni, mentre la circuiteria integrata di controllo e diagnostica viene creata orizzontalmente su uno strato superiore del chip. Questa provata architettura consente ai dispositivi VIPower di ottenere prestazioni di potenza pari o superiori a quelle dei dispositivi discreti, permettendo allo stesso tempo di integrare sofisticati circuiti di controllo e diagnostica.

La nuova tecnologia della ST combina varie innovazioni da differenti settori della progettazione dei chip e dei package. Oltre alla nuova strategia di controllo, che limita la dissipazione di energia in varie condizioni operative, e alle migliorate caratteristiche di compatibilità elettromagnetica (EMC - Electromagnetic Compatibility), la nuova tecnologia è caratterizzata da una corrente di standby notevolmente ridotta, da 12 microampere fino a soli 2 microampere per chip.

La ST ha progettato una famiglia di nuovi driver high-side basati su questa nuova tecnologia. La nuova famiglia di prodotti comprende driver singoli, doppi e quadrupli con valori di RDS(ON) da 2 a 160mOhm. I campioni saranno disponibili ai clienti del settore automobilistico a partire dal quarto trimestre 2004.

Alcune informazioni sulla STMicroelectronics
La STMicroelectronics è leader a livello globale dallo sviluppo alla consegna, nelle soluzioni a semiconduttore per tutta la gamma di applicazioni microelettroniche. Grazie ad un'ineguagliata combinazione di esperienza nel silicio e nei sistemi, grandi capacità manifatturiere, portafoglio di proprietà intellettuale e partner strategici, l'azienda è all'avanguardia nella tecnologia del System-on-Chip (sistema completo su singolo chip) e i suoi prodotti hanno un ruolo essenziale nel rendere possibile l'attuale convergenza di applicazioni e mercati. Le azioni della Società sono quotate al New York Stock Exchange, a Euronext Paris e alla Borsa Italiana. Nel 2003 i ricavi netti della Società sono stati pari a 7,24 miliardi di dollari e gli utili netti a 253 milioni di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com.

M0-5 DATASHEETS:
VN5016AJ-E
VND5012AK-E
VNQ5050K-E

Note per i giornalisti
* La limitazione di corrente "intelligente" è di fondamentale importanza; il valore di corrente deve essere elevato in condizioni di punta e ridotto in condizioni di sovraccarico, per contenere la sollecitazione sul dispositivo e aumentarne la robustezza.
* Limitando la potenza dissipata massima, nei dispositivi M0-5 viene eliminato lo stress precedentemente causato dai transienti termici rapidi (FTT, Fast Thermal Transients).
* La strategia di controllo protegge i dispositivi per tensioni di batteria dell'automobile fino a 36V.

 


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