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Transistore ibrido a emettitore commutato della STMicroelectronics riunisce i vantaggi delle tecnologie MOSFET e bipolari per applicazioni ad altissima potenza | | |
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Ginevra, 10 dicembre 2004 - La STMicroelectronics ha presentato un
transistore ibrido (ESBT),
adatto per le apparecchiature di saldatura, i sistemi ad induzione, e
la correzione del fattore di potenza negli amplificatori audio.L'STE50DE100 può sopportare una tensione collettore-source molto elevata, fino a 1000V, e una corrente di collettore continua fino a 50A. Il dispositivo ha quattro terminali e viene fornito in un package a montaggio con viti, adatto per applicazioni industriali. È studiato per sommare i vantaggi delle tecnologie bipolari e MOSFET, eliminando gli aspetti negativi. Fino a oggi, è stato possibile utilizzare la tecnologia bipolare nelle applicazioni di potenza solo a frequenze molto inferiori ai 70kHz. Uno dei vantaggi di questa tecnologia è una tensione di saturazione collettore-emettitore relativamente bassa, che riduce le perdite di conduzione. Tuttavia, vi sono alcuni svantaggi: una bassa velocità di commutazione e la necessità di una circuiteria di pilotaggio relativamente complicata da calibrare con precisione, capace di erogare correnti elevate. La tecnologia MOSFET, di contro, è molto utilizzata per la commutazione di potenza ad alta frequenza. I principali vantaggi ddi tale tecnologia sono l'elevata frequenza di commutazione e una circuiteria di pilotaggio a bassissima corrente. Gli svantaggi, in relazione alla tecnologia bipolare, sono legati ai costi più alti dei processi di diffusione e un grande consumo di energia durante la conduzione. L'STE50DE100 porta con se i vantaggi ed elimina gli aspetti negativi delle due tecnologie. Riduce le perdite di conduzione al livello dei componenti bipolari, ma garantisce buone prestazioni nella commutazione ad alta frequenza, fino a 150 kHz, come i MOSFET, senza il bisogno di un pilotaggio ad alta corrente. Inoltre l'area operativa di sicurezza in polarizzazione inversa del dispositivo è quadrata (Massima tensione e massima corrente), grazie alla configurazione cascode e a una speciale tecnologia bipolare. Questo ne permette l'uso anche nelle topologie Hard Switching. Il robusto package ISOTOP può raggiungere una dissipazione di potenza totale molto elevata: 164W a 25°C. La temperatura operativa massima di giunzione è di 150°C. L'isolamento permette tensioni di 2500V AC-RMS. Il prezzo unitario è di 20 dollari per l'acquisto di lotti di 1000 pezzi. Per ulteriori informazioni www.st.com/esbt STE50DE100 DATASHEET Alcune informazioni sulla STMicroelectronics La STMicroelectronics è leader a livello globale dallo sviluppo alla consegna, nelle soluzioni a semiconduttore per tutta la gamma di applicazioni microelettroniche. Grazie ad un'ineguagliata combinazione di esperienza nel silicio e nei sistemi, grandi capacità manifatturiere, portafoglio di proprietà intellettuale e partner strategici, l'azienda è all'avanguardia nella tecnologia del System-on-Chip (sistema completo su singolo chip) e i suoi prodotti hanno un ruolo essenziale nel rendere possibile l'attuale convergenza di applicazioni e mercati. Le azioni della Società sono quotate al New York Stock Exchange, a Euronext Paris e alla Borsa Italiana. Nel 2003 i ricavi netti della Società sono stati pari a 7,24 miliardi di dollari e gli utili netti a 253 milioni di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com. |
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