Lo stabilimento, di tipo avanzatissimo, comprenderà linee di lavorazione per fette di silicio da 200 e 300 mm e metterà le due società in condizione di dare un miglior servizio alla propria base clienti e di penetrare con maggiore efficacia nel mercato cinese

Ginevra e Seul, 16 novembre, 2004 La STMicroelectronics e la Hynix Semiconductor, due fra i maggiori produttori mondiali di semiconduttori, hanno annunciato oggi la firma di un accordo di joint-venture per la fabbricazione di uno stabilimento di diffusione di chip di memoria nella città di Wuxi, provincia di Jiangsu, in Cina. Dedicato alla produzione di memorie DRAM e Flash di tipo NAND, il nuovo stabilimento di produzione fra le altre cose contribuirà per la Hynix ad una stabile crescita nella produzione di memorie dinamiche DRAM e per la STMicroelectronics alla costruzione di capacità di memorie Flash NAND. Esso costituisce inoltre la logica estensione dello sviluppo congiunto di processi/prodotti di memorie Flash di tipo NAND, nonché della già avviata collaborazione di produzione fra le due società italiana e coreana.

La città di Wuxi, scelta per la vicinanza a Shanghai, offre un bacino di manodopera specializzata, unita ad una florida ed efficace infrastruttura. Si prevede che la costruzione della fabbrica di diffusione, dotata di una camera pulita di oltre 18.000 metri quadri, verrà avviata agli inizi del 2005. Una volta completato, lo stabilimento impiegherà circa 1.500 persone e in un primo tempo sarà costituita da due linee di produzione capaci di trattare tecnologie avanzate: un modulo per "wafer" (fette) di silicio da 200 mm di diametro, che inizierà produzione in volumi nel 2006 e una linea per fette di silicio da 300 mm che seguirà nel 2007. Ciascuna linea lavorerà ad un regime di 20.000 fette al mese. Il nuovo impianto di produzione integrerà le capacità già esistenti ed avanzate di entrambe le società dotandole al tempo stesso di capacità manifatturiere altamente competitive per quanto riguarda i costi come pure di un migliore accesso al mercato cinese in rapidissima crescita.

Il mercato cinese rappresenta al momento il 14% del mercato mondiale dei semiconduttori e si prevede che registri una crescita annua superiore al 20% fra il 2003 e il 2008. Oggi la Cina rappresenta già una cifra vicina a $1.5 miliardi di dollari delle vendite mondiali della STMicroelectronics, Grazie all'ampio portafoglio di memorie Flash (che comprende anche avanzati chip di memorie Flash NAND da 1-Gygabyte di capacità), dedicate soprattutto al mercato delle telecomunicazioni, le vendite di memorie della ST in Cina stanno aumentando rapidamente. Una parte significativa delle vendite della Hynix viene dalla Cina ed è imputabile al forte marchio che il gruppo coreano ha saputo affermare nel corso di parecchi anni.

"Questo stabilimento di produzione di classe mondiale costituisce un prezioso contributo al posizionamento della ST come fornitore di soluzioni complete soprattutto nei mercati per le telecomunicazioni e dell'elettronica di consumo, aumentandone ulteriormente la capacità di offrire memorie per applicazioni multimediali e soluzioni dedicate di sistema in un singolo "package". La ST riafferma in tal modo non solo la propria abilità di offrire interi sistemi complessi su singolo chip di silicio e soluzioni dedicate, ma anche di posizionarsi come fornitore completo in grado di offrire prodotti in volumi ad una larga base clienti e a costi competitivi," ha detto Carlo Bozotti, Corporate Vice President del Gruppo Memorie della STMicroelectronics. "Con questo accordo il rapporto fra la Hynix e la ST raggiunge una partnership industriale in piena regola, che comprende significativi impegni finanziari congiunti," ha concluso Pasquale Pistorio, President & CEO della STMicroelectronics.

"La Hynix è lieta di ampliare la propria collaborazione con la ST con la costruzione di un impianto di produzione di classe mondiale in Cina. La Hynix è convinta che questa alleanza sarà di mutuo vantaggio per la crescita a lungo termine di entrambe le società. Dopo aver portato a termine la propria ristrutturazione interna con la vendita delle sue attività non legate alle memorie, e dopo aver raggiunto utili record nel 2004, la Hynix conta di rafforzare la propria posizione nel mercato delle memorie con il futuro stabilimento cinese e tramite la diversificazione del proprio portafoglio prodotti che comprende memorie per server ad alte prestazioni, memorie grafiche, per il mercato consumer e memorie Flash di tipo NAND," ha detto Eui-Jei Woo, Chairman e CEO della Hynix Semiconductor Inc.

La joint venture rafforzerà la competitività della Hynix dotando la società di linee di produzione per wafer di silicio da 300 mm di diametro e risolvendo al tempo stesso alcune problematiche commerciali esistenti o potenziali. La joint-venture assicurerà invece alla STMicroelectronics l'accesso a prodotti e tecnologie DRAM a costi competitivi che la società potrà applicare allo sviluppo di nuovi progetti e utilizzare nella fabbricazione di prodotti mirati a soddisfare esigenze particolari di quei clienti che ne facciano richiesta.

L'investimento totale previsto per il progetto è di 2 miliardi di dollari, finanziati mediante capitale da entrambi i partner (Hynix 67%, ST 33%), un finanziamento a lungo termine di 250 milioni di dollari da parte di ST, così come un pacchetto finanziario da istituti finanziari locali cinesi che comprende debito e contratto di affitto a lungo termine. La ST e la Hynix stanno lavorando con le autorità cinesi al completamento delle approvazioni governative necessarie e alla finalizzazione dell'erogazione del pacchetto finanziario. Si prevede che nel 2005 l'investimento nel capitale societario della joint-venture da parte della ST e della Hynix sarà di 375 milioni di dollari, suddiviso in proporzione di 1/3 - 2/3 rispettivamente.

Alcune informazioni sulla Hynix Semiconductor Inc.
La Hynix Semiconductor Inc. ("HSI") of Ichon, Korea, è fra i leader mondiali di dispositivi di memorie DRAM, memorie dinamiche ad accesso casuale, di memorie SRAM, memorie statiche e memorie Flash dedicati ad una vasta gamma di forti clienti internazionali. Le azioni della società sono quotate alla Borsa di Corea (Korea Stock Exchange) e le azioni Global Depositary Shares sono quotate alla la borsa del Lussemburgo (Luxembourg Stock Exchange). Maggiori informazioni sulla Hynix sono disponibili al sito www.hynix.com.

Alcune informazioni sulla STMicroelectronics
La STMicroelectronics è leader a livello globale dallo sviluppo alla consegna, nelle soluzioni a semiconduttore per tutta la gamma di applicazioni microelettroniche. Grazie ad un'ineguagliata combinazione di esperienza nel silicio e nei sistemi, grandi capacità manifatturiere, portafoglio di proprietà intellettuale e partner strategici, l'azienda è all'avanguardia nella tecnologia del System-on-Chip (sistema completo su singolo chip) e i suoi prodotti hanno un ruolo essenziale nel rendere possibile l'attuale convergenza di applicazioni e mercati. Le azioni della Società sono quotate al New York Stock Exchange, a Euronext Paris e alla Borsa Italiana. Nel 2003 i ricavi netti della Società sono stati pari a 7,24 miliardi di dollari e gli utili netti a 253 milioni di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com


Note per il redattore:
Le memorie Flash di tipo NAND e le memorie DRAM (Memorie dinamiche ad accesso diretto "random") sono due tipi di memorie a semiconduttore utilizzate per archiviare informazioni nei prodotti elettronici. Le memorie DRAM, utilizzate comunemente nei PC, sono definite di tipo volatile perché la loro capacità di salvare l'informazione dipende dalla presenza o assenza dell'alimentazione elettrica. Le memorie DRAM, unite alle Flash, stanno diventando componenti essenziali per terminali mobili. Al contrario, le memorie di tipo Flash sono "non volatili" e pertanto comunemente utilizzate in applicazioni digitali, quali i telefoni cellulari e le videocamere che hanno bisogno di memorizzare le informazioni anche in mancanza di alimentazione.

Le memorie Flash sono di due tipologie principali: le NAND e le NOR diverse fra loro per l'architettura di processo e per alcune proprietà elettriche e operative. Poiché le Flash NAND presentano una maggiore velocità di programmazione, sono più adatte ad applicazioni legate alle videocamere digitali, nelle quali si ravvisa la necessità di scrivere una maggiore quantità di dati visivi in breve tempo. Per contro, grazie alla maggiore velocità di accesso casuale o "random", le memorie Flash di tipo NOR sono più adatte ad applicazioni nelle quali i dati di programma occupano la maggior parte dello spazio di memoria utilizzabile.

Per ulteriori informazioni:
Jungsoo (James) Kim
Hynix Semiconductors
Director, Investor Relations
Tel: +82.2.3459.5920
Fax : +82.2.3459.3647
Email:  jamess.kim@hynix.com

Keunyook (Kevin) Lee
Hynix Semiconductors
Sr. Manager, Investor Relations
Tel : + 82.2.3459.5532
Fax : + 82.2.3459.3647
Email : keunyook.lee@hynix.com

Mina Cho
Hynix Semiconductors
Manager, Investor Relations
Tel : +82.2.3459.3644
Fax : +82.2.3459.3647
Email: minacho@hynix.com

Chunjae Ko
Hynix Semiconductors
Manager, Investor Relations
Tel :+82.2.3459.3641
Fax :+82.2.3459.3647
Email:chunjae.ko@hynix.com

CORPORATE COMMUNICATIONS
Ah-Young Kim
Hynix Semiconductors
Manager, Corporate Communications
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Fax: +82.2.3459.5333
E-mail: ahyoung.kim@hynix.com